确定半导体晶片的光学属性的方法与系统

摘要

公开了用于确定例如半导体晶片的衬底的至少一个光学特性的方法与系统。一旦确定光学特性，那么，为了改善工艺处理，可以控制在工艺处理室中的至少一个参数。例如，在一个实施例中，处于室温或接近于室温时，首先确定衬底中一个面的反射率。由该信息，将可以精确估计在高温处理期间晶片的反射比与/或发射比。在晶片处理期间，使用高温计，可用发射比校正温度测量。除了进行更加精确的温度测量之外，衬底的光学特性也能够用于更好的优化加热循环。

主权项

1、一种用于控制衬底的加热处理的方法，包括：向衬底的第一表面上发射光，所述衬底包括第一表面、以及与第一表面相隔一厚度的相反的第二表面；引导所述光通过将从第一表面反射的光与从第二表面反射的光分离的光路；检测从第一表面反射的光量；以及基于所检测的从第一表面反射的光量，在加热衬底的处理中控制或调节至少一个系统组件。