| 发明名称 | 生产氢化碳氧化硅膜的方法 | ||
| 摘要 | 生产具有低介电常数的氢化碳氧化硅(H:SiOC)膜的方法。该方法包括使用等离子体辅助的聚合，使含有至少一个应变硅键的环状硅烷化合物反应以产生膜。所得膜可用于形成半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN100416776C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200480005345.0 | 申请日期 | 2004.01.26 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | M·J·罗伯达;B·K·黄 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);C23C16/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 刘明海 |
| 主权项 | 1. 一种用于生产氢化碳氧化硅膜的化学气相沉积方法，该方法包括：向含有基片的沉积腔室内引入含(i)选自含硅的环丁烷、含硅的环戊烷、含硅的环己烷、硅杂-5-螺[4，4]壬-2，7-二烯或双环化合物的环状硅烷化合物和(ii)提供氧气的气体的反应性气体混合物，其中所述环状硅烷化合物是有一个或多个包含在不包括氧原子的至少一个环结构内的硅原子；和在25℃-500℃的温度下，诱导环状硅烷化合物与提供氧气的气体之间的反应；其中在反应过程中存在以每体积份的环状硅烷化合物计为0.1-10体积份的提供氧气的气体，以便在基片上提供介电常数范围为2.0-3.2的含氢、硅、碳和氧的膜。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||