半导体制造工艺和半导体器件制造工艺

摘要

一种创新的制造半导体器件的方法，能够以较低温度和较短时间周期使非晶硅膜结晶。所述方法包括：在第一室旁在衬底上形成硅氧化物膜；在第一室中通过以氮替换第一室内侧的大气而执行对硅氧化物膜的氮等离子体处理；在执行氮等离子体处理之后在硅氧化物膜上形成非晶硅膜；以及通过在400到650℃的温度范围或不高于衬底玻璃转换温度下对非晶硅膜进行热处理而使非晶硅膜结晶，其中衬底在第一室与第二室之间的传递是在不暴露于空气中的情况下进行的。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤；在第二室中通过溅射在衬底上形成一层硅氧化物膜；在第二室中执行对所述硅氧化物膜的氮等离子体处理；在执行氮等离子体处理之后，在第一室中在所述硅氧化物膜上形成一层非晶硅膜；和通过加热使所述非晶硅膜结晶；其中，所述衬底在所述第一室与所述第二室之间的传递是在不暴露于空气中的情况下进行的。