发明名称 |
半穿透半反射式像素结构 |
摘要 |
本发明公开了一种适于配置于一基板上的半穿透半反射式像素结构。此半穿透半反射式像素结构包括栅极层、栅绝缘层、沟道层、半穿透导电层、保护层以及第二半穿透膜。栅极层配置于基板上而栅绝缘层也配置于基板上,并且栅绝缘层覆盖住栅极层。位于栅极层上方的沟道层配置于栅绝缘层上。半穿透导电层配置于沟道层的部份区域以及栅绝缘层的部分区域上。其中,半穿透导电层包括源极、漏极以及与漏极连接的第一半穿透膜。保护层配置于半穿透导电层以及部份沟道层上。并且,位于第一半穿透膜上方的第二半穿透膜配置于保护层的部份区域上。 |
申请公布号 |
CN101256323A |
申请公布日期 |
2008.09.03 |
申请号 |
CN200710087628.X |
申请日期 |
2007.03.02 |
申请人 |
胜华科技股份有限公司 |
发明人 |
郭建忠;陈健忠;黄敬佩;刘锦璋 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
1. 一种半穿透半反射式像素结构,适于配置于一基板上,该半穿透半反射式像素结构包括:一栅极层,配置于该基板上;一栅绝缘层,配置于该基板上,并且该栅绝缘层覆盖住该栅极层;一沟道层,配置于该栅绝缘层上,且该沟道层位于该栅极层的上方;一半穿透导电层,配置于该沟道层的部份区域以及该栅绝缘层的部分区域上,其中该半穿透导电层包括一源极、一漏极以及与该漏极连接的一第一半穿透膜;一保护层,配置于该半穿透导电层以及部份该沟道层上;以及一第二半穿透膜,配置于该保护层的部份区域上,其中该第二半穿透膜位于该第一半穿透膜上方。 |
地址 |
台湾省台中县潭子乡台中加工出口区建国路10号 |