发明名称 |
一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
摘要 |
一种有机薄膜晶体管,包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极,结构组成为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种,其特征在于:还包括过渡层,所述过渡层由空穴型有机半导体材料中的一种或多种构成。目的是要优化有机薄膜晶体管的制作工艺,提高有机薄膜晶体管的性能,大幅降低有机薄膜晶体管的成本,为有机薄膜晶体管的产业化降低工艺要求和成本。 |
申请公布号 |
CN101257093A |
申请公布日期 |
2008.09.03 |
申请号 |
CN200810044529.8 |
申请日期 |
2008.04.03 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
于军胜;李璐;张磊;蒋亚东 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种有机薄膜晶体管,包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极,结构组成为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种,其特征在于:还包括过渡层,所述过渡层由空穴型有机半导体材料中的一种或多种构成。 |
地址 |
610054四川省成都市成华区建设北路二段四号 |