| 主权项 |
1.一种垂直中空光产生装置,系因应入射的外部光 而产生具有经选择以改良能量转换效率之放大频 谱线宽之准雷射光,其包含: a)基板; b)底部介电叠层,系对于预定波长范围内之光具反 射性; c)有机活性区,系用以产生准雷射光; d)顶部介电叠层,系与该底部介电叠层相隔且对于 预定波长范围内之光具反射性; e)该有机活性区包含一或多个周期性增益区及有 机隔离层,该有机隔离层系位于该周期性增益区之 任一侧且经排列使得该周期性增益区与该装置之 驻波电磁场之反节点对准;及 f)该顶部或底部介电叠层经选择使得峰値反射率 小于99%,且该装置之频谱线宽增加,但产生可接受 水平的自发性放射,藉以造成改良的能量转换效率 。 2.如申请专利范围第1项之垂直中空光产生装置,其 中泵激束光系经由介电叠层之至少一者传送及引 入该有机活性区。 3.如申请专利范围第2项之垂直中空光产生装置,其 中该有机活性区包含基质材料与掺杂物之组合,且 该有机隔离层实质上对该泵激束及准雷射光呈透 明性。 4.如申请专利范围第3项之垂直中空光产生装置,其 中该基质材料系为参(8-羟基)铝,该掺杂物为[ 10-(2-苯并唑基)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11 H-[1]苯并喃并[6,7,8-ij]-11-酮],且该有机隔离 层系为1,1-双-(4-双(4-甲基-苯基)-胺基-苯基)-环己 烷。 5.如申请专利范围第1项之垂直中空光产生装置,其 中该有机活性区含有聚合材料。 6.如申请专利范围第1项之垂直中空光产生装置,其 中该能量转换效率大于20%。 图式简单说明: 图1显示根据本发明光学泵激有机基础的垂直中空 准雷射装置之侧面示意图; 图2显示强度对波长之图且描述来自光学泵激有机 基础的垂直中空准雷射装置之发射频谱;及 图3系为来自光学泵激有机基础的垂直中空准雷射 装置(除了较低的介电叠层反射率)之准雷射发射 频谱。 |
