发明名称 测量温度和热处理的方法及系统
摘要 本发明提供了温度测量和热处理方法及系统。一种方法含有测量由工件第一表面热发射的辐射的当前强度,并根据该当前强度和第一表面的至少一种热属性确定第一表面的当前温度。优选地,所述工件含有半导体晶片,第一和第二表面各自含有其器件侧和衬底侧。由现在器件侧受到辐照时,例如用持续时间小于晶片热传导时间的辐照闪光辐照时,确定该器件侧的温度。器件侧温度可以根据先前器件侧温度来确定,先前器件侧温度可以根据衬底侧的先前温度来确定,所述衬底侧的先前温度不等于先前的器件侧温度和晶片的温度历史。
申请公布号 CN100416243C 申请公布日期 2008.09.03
申请号 CN02825960.2 申请日期 2002.12.23
申请人 加拿大马特森技术有限公司 发明人 大卫·玛尔科穆·卡穆;沙乌娜·科温;马瑟尔·爱得摩德·莱甫兰克斯;格莱格·司徒亚特
分类号 G01J5/10(2006.01);G01J5/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 G01J5/10(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1. 一种测量温度的方法,其包括:a)测量从工件的第一表面热发射的辐射的当前强度;和b)根据所述当前强度、在相应先前时刻所述第一表面的先前温度和在先前时刻从所述第一表面热发射的辐射的先前强度,来确定所述第一表面的当前温度。
地址 加拿大英属哥伦比亚州温哥华市