发明名称 存储器控制器、用于存取半导体存储器的控制方法和系统
摘要 本发明提供了存储器控制器、用于存取半导体存储器的控制方法和系统。存储器控制器顺次保存包括存取地址的存取请求。半导体存储器包括多个存储体,每个存储体具有多个页。存储器控制器判断对应于每个所保存的存取地址的存储体的页命中/页缺失。而且,存储器控制器在基于对相继存取地址的分析而判断出用于对所有存储体执行预充操作的所有存储体预充指令的输出会导致存取效率的提高时,输出所有存储体预充指令。可以仅通过提供一次所有存储体预充指令就对多个存储体进行预充,因此,如果用于插入指令的空白周期数量少,则可以根据存储体状态有效地将指令供应到半导体存储器。
申请公布号 CN101256827A 申请公布日期 2008.09.03
申请号 CN200810005906.7 申请日期 2008.02.13
申请人 富士通株式会社 发明人 原聪二
分类号 G11C7/10(2006.01);G11C8/12(2006.01) 主分类号 G11C7/10(2006.01)
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 宋鹤
主权项 1.一种对半导体存储器进行存取的存储器控制器,所述半导体存储器包括多个存储体,所述存储体中的每一个都具有多个页,所述存储器控制器包括:请求保存单元,该请求保存单元顺次保存存取请求,所述存取请求包括存取地址,所述存取地址中的每个地址指示要存取的存储单元,所述存取请求是从系统控制器提供的;以及地址分析单元,该地址分析单元接收保存在所述请求保存单元中的多个存取地址,以判断与所述存取地址中的每个地址相对应的存储体的页命中/页缺失,并在基于对所述多个存取地址的分析而判断出用于对所有存储体执行预充操作的所有存储体预充指令的输出会导致存取效率的提高时,输出所述所有存储体预充指令。
地址 日本神奈川县