| 发明名称 | 化学增幅光刻胶等效扩散模型的建立方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种化学增幅光刻胶等效扩散模型的建立方法，可同时考虑掩膜板图形的图形分布密度对于光刻胶扩散长度的影响，从而可以建立更为准确的光刻胶等效扩散模型，提高对光刻工艺各项参数的模拟结果的精确度。包括以下步骤：(1)测量光刻胶对一组不同类型的测试图形在不同图形分布密度时的光刻工艺参数；(2)通过空间像模拟解算出光刻胶光酸对所述不同类型的测试图形在不同图形分布密度时的等效扩散长度值；(3)建立光刻胶光酸的等效扩散长度对各种类型的测试图形在不同图形分布密度时的函数或者表格；(4)根据待模拟图形的图形类型及图形分布密度，选择该待模拟图形相应的最佳等效扩散长度值。 | ||
| 申请公布号 | CN101256362A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200710037715.4 | 申请日期 | 2007.02.28 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 伍强;王雷;丁华;吴鹏;闻人青青;彭超群 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G06F17/50(2006.01);G06N7/00(2006.01);G03F7/038(2006.01);G03F7/039(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1. 一种化学增幅光刻胶等效扩散模型的建立方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)测量光刻胶对一组不同类型的测试图形在不同图形分布密度时的光刻工艺参数；(2)通过空间像模拟解算出光刻胶光酸对所述不同类型的测试图形在不同图形分布密度时的等效扩散长度值；(3)建立光刻胶光酸的等效扩散长度对各种类型的测试图形在不同图形分布密度时的函数或者表格；(4)根据待模拟图形的图形类型及图形分布密度，选择该待模拟图形相应的最佳等效扩散长度值。 | ||
| 地址 | 200121上海市浦东新区川桥路1188号 | ||