| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 实现了在较高的温度下键合线和电极焊垫之间的结点区域中提高的可靠性。半导体器件(100)包括半导体芯片(102)、AlCu焊垫(107)和CuP导线(111)，其中AlCu焊垫(107)提供在半导体芯片(102)中且包含Al作为主要组分并且另外包含铜(Cu)，CuP导线(111)用作接合构件用于将提供在半导体芯片(102)外部的内引线(117)与半导体芯片(102)连接，并且主要包含Cu。AlCu焊垫(107)和CuP导线(111)用基本不含卤素的密封树脂(115)密封。 | ||
| 申请公布号 | CN101256993A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810081234.8 | 申请日期 | 2008.02.20 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 田中壮和;高桥康平;冈部诚司 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/485(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L23/49(2006.01);H01L23/29(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体芯片；电极焊垫，其提供在所述半导体芯片中，并包含铝(Al)作为主要成分且另外包含铜(Cu)；和接合构件，其连接提供在所述半导体芯片外部的接合端子和所述半导体芯片，且主要包含Cu，其中，在用来接合所述接合构件和所述电极焊垫的区域中，提供具有不同Cu和Al含量比的多个Cu和Al合金层，其中所述Cu和Al合金层包括铜-铝合金(CuAl2)层和提供在所述CuAl2层和所述接合构件之间且具有比所述CuAl2层的Al含量比相对低的Al含量比的层，和其中所述电极焊垫和所述接合构件用基本不包含卤素的密封树脂密封。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||