| 发明名称 | 电阻随机存取存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种包含具有金属氧化物和/或金属离子掺杂物的电阻层的电阻随机存取存储器及其制造方法，所述电阻随机存取存储器在室温沉积并且具有可变电阻特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101257089A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810092024.9 | 申请日期 | 2008.01.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李明宰;李殷洪;朴泳洙 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C13/00(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种电阻随机存取存储器，包括：下电极；在所述下电极上的具有金属氧化物和金属离子掺杂物的电阻层；以及在所述电阻层上的上电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||