用于制造垂直结构的发光二极管的方法

摘要

本发明提供了一种用于制造能够容易执行芯片分离工艺的垂直结构的LED(发光二极管)的方法。在该方法中，在具有多个器件区和至少一个器件隔离区的生长基板上形成发光结构，其中，发光结构包括在生长基板上顺序设置的n型覆层、有源层、和p型覆层。在发光结构上形成p电极。然后，在p电极上形成第一镀层使其连接多个器件隔离区。在器件区的第一镀层上形成第二镀层图样。去除生长基板，然后在n型覆层上形成n电极。

主权项

1. 一种用于制造垂直结构的发光二极管(LED)的方法，所述方法包括以下步骤：在具有多个器件区和至少一个器件隔离区的生长基板上形成发光结构，其中，所述发光结构包括顺序设置在所述生长基板上的n型覆层、有源层和p型覆层；在所述发光结构上形成p电极；在所述p电极上形成第一镀层，以连接所述多个器件区；形成敞开所述器件区的所述第一镀层的光刻胶图样；使用所述光刻胶图样在所述器件区的所述第一镀层上执行电镀，从而形成第二镀层的图样；以及去除所述生长基板，并在所述n型覆层上形成n电极。