| 发明名称 | 绝缘膜的制造方法及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种绝缘膜的制造方法，该绝缘膜可以使用非光感性的硅氧烷树脂且通过湿蚀刻法形成为所希望的形状。该制造方法包括：以在有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液形成薄膜；对该薄膜进行第一加热处理；在第一加热处理之后的薄膜上形成掩模；使用有机溶媒进行湿蚀刻来加工第一加热处理之后的薄膜的形状，并且对被加工了的薄膜进行第二加热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101256956A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810081085.5 | 申请日期 | 2008.02.26 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 藤井照幸 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/312(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 吴丽丽 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：使用在第一有机溶媒中包含硅氧烷树脂或硅氧烷类材料的悬浊液来形成薄膜；对所述薄膜进行第一加热处理；在所述第一加热处理之后的所述薄膜上形成掩模；对所述第一加热处理之后的所述薄膜使用第二有机溶媒进行湿蚀刻；以及对所述湿蚀刻之后的所述薄膜进行第二加热处理。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||