光纤耦合结构及用于耦合光纤的方法

摘要

一种用于光耦合发射侧光纤和入射侧光纤的光纤耦合结构包括：发射侧基座；以及入射侧基座，其中所述发射侧光纤被紧固到发射侧基座上，并且发射侧光纤的末端被暴露在耦合端面处，其中所述入射侧光纤被紧固到入射侧基座上，并且入射侧光纤的一端被暴露在提供在所述入射侧基座上的斜面处，以及其中发射侧基座的耦合端面紧靠入射侧基座的邻接面，被暴露在发射侧基座的耦合端面处的发射侧光纤与被暴露在入射侧基座的斜面处的入射侧光纤相隔开一间隙，以及发射侧光纤与入射侧光纤被光耦合。

主权项

1. 一种用于光耦合发射侧光纤和入射侧光纤的光纤耦合结构，包括：具有耦合端面的发射侧基座；以及具有邻接面以及斜面的入射侧基座，其中所述发射侧基座适于紧固发射侧光纤，并且发射侧光纤的一端被暴露在耦合端面处，其中所述入射侧基座适于紧固入射侧光纤，并且入射侧光纤的一端被暴露在所述入射侧基座的斜面处，以及所述入射侧光纤的所述暴露端具有一个斜面，其对应于所述入射侧基座的斜面，以及其中发射侧基座的耦合端面紧靠入射侧基座的邻接面，被暴露在发射侧基座的耦合端面处的发射侧光纤与被暴露在入射侧基座的斜面处的入射侧光纤相隔开一间隙，以及发射侧光纤与入射侧光纤被光耦合；其中，入射侧光纤的芯半径r2大于发射侧光纤的芯半径r1；其中，发射侧基座的耦合端面和发射侧光纤的发射侧端面在垂直方向上被抛光，且所述发射侧光纤的发射侧端面与提供在入射侧光纤芯上的斜面之间的最短间距D由下述公式(1)表达：$D<\frac{r_2-r_1}{\tan \left\{{\sin }^{-1}\left({\mathrm{NA}}_1\right)\right\}}-2r_2·\tan \alpha ...\left(1\right)$ 其中，α是发射侧基座的耦合端面与入射侧基座的斜面之间的角，NA1 是发射侧光纤的数值孔径。