发明名称 |
构造传感器结构的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种传感器结构,包括至少一个第一层,其具有可选地与形成粘合剂基质的粘合物混合的导电聚合物,以及至少一个第二层,其离开第一层并与第一层相邻,或者与第一层有一距离,或者至少部分地与第一层结合,借此第二层包括可选地与粘合物混合的包含酸性或碱性物质的微囊,该酸性或碱性物质当从微囊释放时改变聚合物的导电性。本发明还涉及该传感器结构的制造方法和使用。 |
申请公布号 |
CN101258443A |
申请公布日期 |
2008.09.03 |
申请号 |
CN200680032982.6 |
申请日期 |
2006.07.05 |
申请人 |
M-真实公司 |
发明人 |
T·穆斯托南 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01);B41M5/165(2006.01);B41M5/28(2006.01);H01B1/12(2006.01);H01B1/20(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;王忠忠 |
主权项 |
1.一种传感器结构,特征在于包括:-至少一个第一层,其具有任选地与形成粘合剂基质的粘合物混合的导电聚合物,以及-至少一个第二层,其与第一层分开并与第一层相邻,或者与第一层有一距离,或者至少部分地与第一层结合,由此第二层包括任选地与粘合物混合的包含酸性或碱性物质的微囊,该酸性或碱性物质在从微囊释放时改变所述聚合物的导电性。 |
地址 |
芬兰埃斯波 |