发明名称 构造传感器结构的方法
摘要 本发明涉及一种传感器结构,包括至少一个第一层,其具有可选地与形成粘合剂基质的粘合物混合的导电聚合物,以及至少一个第二层,其离开第一层并与第一层相邻,或者与第一层有一距离,或者至少部分地与第一层结合,借此第二层包括可选地与粘合物混合的包含酸性或碱性物质的微囊,该酸性或碱性物质当从微囊释放时改变聚合物的导电性。本发明还涉及该传感器结构的制造方法和使用。
申请公布号 CN101258443A 申请公布日期 2008.09.03
申请号 CN200680032982.6 申请日期 2006.07.05
申请人 M-真实公司 发明人 T·穆斯托南
分类号 G03F7/00(2006.01);B41M5/165(2006.01);B41M5/28(2006.01);H01B1/12(2006.01);H01B1/20(2006.01) 主分类号 G03F7/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 张雪梅;王忠忠
主权项 1.一种传感器结构,特征在于包括:-至少一个第一层,其具有任选地与形成粘合剂基质的粘合物混合的导电聚合物,以及-至少一个第二层,其与第一层分开并与第一层相邻,或者与第一层有一距离,或者至少部分地与第一层结合,由此第二层包括任选地与粘合物混合的包含酸性或碱性物质的微囊,该酸性或碱性物质在从微囊释放时改变所述聚合物的导电性。
地址 芬兰埃斯波