用于具有磁性包层的隧道结传感器的方法

摘要

提供用于感应物理参数的方法和设备。设备(30)包括磁性隧道结(MTJ)[32]以及磁场源(34)，该磁场源的磁场(35)覆盖MTJ且其与MTJ的接近度响应于传感器输入而变化。至少在远离MTJ的MFS的面上提供磁屏蔽(33)。MTJ包括由电介质(37)分开的第一和第二磁性电极(36，38)，该电介质构造成允许在该两个电极之间的显著隧穿导通。第一磁性区域使得其自旋轴固定而第二磁性电极使得其自旋轴自由。磁场源取向为相较于第一磁性电极更靠近第二磁性电极。通过提供多个电连接的传感器来扩展总体的传感器动态范围，这些传感器接收相同的输入但是具有各自不同的响应曲线，且期望但是不必需地形成在相同的基底上。

主权项

1.一种用于形成具有被屏蔽的磁场源(MFS)的传感器的方法，包括：形成磁性隧道结(MTJ)；在所述MTJ上方淀积间隔物；在所述间隔物上提供所述磁场源(MFS)，所述MFS具有指向并位于所述MTJ上方的第一面和离开所述MTJ地指向的第二面；至少在所述MFS的所述第二面上并入磁性包层；以及移除所述MFS与所述MTJ之间的所述间隔物的一部分，使得位于所述MTJ上方的所述MFS的所述第一和第二面可以响应于所述传感器的输入而相对于所述MTJ移动。