验证非挥发存储器电路功能的方法

摘要

本发明公开了一种验证非挥发存储器电路功能的方法。该方法从非挥发存储器的存储单元的存储特性和物理方程出发，推导出存储器的存储单元的I－V特性；基于上述存储器的存储单元的I－V特性，设计出与该存储器的存储单元相同电学特性的成熟工艺可制造的替代单元电路；并根据非挥发存储器的读写工作模式，设计出相应的成熟工艺可制造的外围电路；用成熟工艺将上述已设计的替代单元电路嵌入到所设计的外围电路中，对非挥发存储器电路功能进行验证。本发明可进一步对存储器外围电路进行性能验证，据此可以应用成功的外围电路设计对实际制造的器件性能是否满足存储器设计要求进行判断。

主权项

1、一种验证非挥发存储器电路的方法，其步骤包括：1)从非挥发存储器的存储单元的存储特性出发，获得该存储器存储单元的I-V特性；2)基于上述存储器的存储单元的I-V特性，设计出与该存储器的存储单元相同电学特性的成熟工艺可制造的替代单元电路；3)根据上述非挥发存储器的读写工作模式，设计出相应的成熟工艺可制造的外围电路；4)用成熟工艺将上述已设计的替代单元电路嵌入到所设计的外围电路中，对非挥发存储器电路功能进行验证。