| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种电容器，包括下电极、介电层、上电极、和氧化钌层。下电极和上电极中的至少其一由钌层形成，并且氧化钌层与钌层邻接布置。 | ||
| 申请公布号 | CN101257051A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200710305602.8 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 都官佑;卢载盛;李起正;吉德信;金荣大;金珍赫;朴京雄;宋翰相 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L29/92(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种电容器，包括：下电极；上电极；位于所述下电极和所述上电极之间的介电层；和氧化钌层，其中所述下电极和所述上电极中的至少其一包含钌层，并且所述氧化钌层与所述钌层邻接布置。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||