| 发明名称 | 用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液，该溶液的金属杂质污染极低，使用所述的碱蚀刻溶液能够提供极佳的表面平整度，本发明还涉及使用所述高纯度碱蚀刻溶液的碱蚀刻方法。本发明的用于蚀刻硅晶片的碱蚀刻溶液中含有40至60重量％的氢氧化钠和0.01至10重量％硝酸盐和/或亚硝酸盐，所述氢氧化钠含有：1pp或更低的铜、镍、镁和铬元素；5ppb或更低的铅和铁元素；10ppb或更低的铝、钙和锌元素；1ppm或更低的氯化物、硫酸盐、磷酸盐、氮化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN100415934C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200410103734.9 | 申请日期 | 2004.12.22 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 西村茂树 |
| 分类号 | C23F1/32(2006.01);C23F1/40(2006.01);H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | C23F1/32(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 1. 一种硅晶片蚀刻方法，其包括：提供硅晶片；使所述硅晶片与碱蚀刻溶液接触，基于碱蚀刻溶液的总重量，所述碱蚀刻溶液包含：40至60重量％的高纯氢氧化钠和0.01至10重量％的硝酸盐；其中所述高纯氢氧化钠包含：1ppb或更低的铜、镍、镁和铬元素；5ppb或更低的铅和铁元素；10ppb或更低的铝、钙和锌元素；1ppm或更低的氯化物、硫酸盐、磷酸盐和氮化合物。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||