发光二极管元件和发光系统及其发光二极管元件制作方法

摘要

本发明提供一种发光二极管元件和发光系统及其发光二极管元件制作方法。以自行对准晶片切割技术(self－aligned wafer singulation technique)制作的发光二极管元件，其以晶片上每一颗发光二极管晶粒的电极作为该晶片上形成刻划线(scribing lines)的对准标记(alignment mark)，而无需在晶片上相邻发光二极管晶粒之间至少沿一方向预先刻蚀出切割道(scribing street)。通过本发明，发光二极管晶粒周缘面积在至少一方向上不被切割道占据，故可增加发光二极管晶粒的发光面积，而提高其发光效率。

主权项

1. 一种发光二极管元件，其特征在于，所述发光二极管元件包括：一基底；一半导体叠层，形成于所述基底的一第一表面，所述半导体叠层包含一具有第一导电性半导体层、一具有第二导电性半导体层及一半导体发光层介于前述两者之间；一具有第一导电性接触层电性连接至所述具有第一导电性半导体层；及一具有第二导电性接触层电性连接至所述具有第二导电性半导体层；其中所述半导体叠层朝至少一方向延伸至所述发光二极管元件的周缘。