发明名称 抛光装置及抛光方法
摘要 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。
申请公布号 CN100415447C 申请公布日期 2008.09.03
申请号 CN03800759.2 申请日期 2003.04.17
申请人 株式会社荏原制作所 发明人 户川哲二;福岛诚;樱井邦彦;吉田博;锅谷治;市村照彦
分类号 B24B37/04(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 B24B37/04(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 胡建新
主权项 1. 一种抛光装置,具备研磨面和顶部圆环,该顶部圆环保持研磨对象物,并把该研磨对象物按压到上述研磨面上,其特征在于:上述顶部圆环具备:上下活动部件;弹性膜,安装在上述上下活动部件的下面上;压力室,通过上述弹性膜形成在上述顶部圆环内;流体流路,把加压流体供给到上述压力室内,利用上述加压流体的流体压力把上述研磨对象物按压到上述研磨面上;开口,形成在上述上下活动部件的中央部;以及吸附部,具有吸附上述研磨对象物的连通孔;从上述连通孔中喷射出加压流体后,从上述开口中喷射出加压流体,这样使研磨后的研磨对象物从上述顶部圆环上脱离。
地址 日本东京