| 发明名称 | 半导体器件结构及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN100416820C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200410092680.0 | 申请日期 | 2004.11.16 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 陈行聪;斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯;马修·伊尔·科尔伯恩;蒂莫西·约瑟夫·达尔顿;杰弗里·科蒂斯·海德里克;黄遏明;考什克·阿伦·库马尔;迈克尔·怀恩·雷恩;凯利·马龙;昌德拉塞克哈尔·纳拉扬;萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔;萨姆巴斯·普鲁肖萨曼;罗伯特·罗森伯格;克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格;虞蓉卿 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件结构，其中，在FEOL半导体衬底上包括：a.与该FEOL衬底电连接的铜通孔层，并且该铜通孔层还包括固体永久的低K电介质材料，该材料在处理温度范围内是不可热分解的；c.牺牲材料，其位于该固体永久的低K电介质材料上的线路层中，在加热处理下被分解和去除；d.在该牺牲材料上的气体可渗透的硬掩模；e.在该硬掩模层处具有上表面并且与该通孔层电连接的铜布线；和f.在该铜布线上表面上的薄的保护帽盖。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||