利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法

摘要

本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚度，以暴露一下方金属区域。进行至少一超临界流体处理以移除最上层的该光阻层。此超临界流体处理包含超临界二氧化碳、一辅溶剂、以及一添加物。此添加物是选自由一金属腐蚀抗剂及一金属抗氧化剂所组成的群组。此超临界流体处理亦包含一选择性介电绝缘层的化学键形成剂。本发明可以减少电浆蚀刻损伤并且改善低介电值材料的绝缘特性。

主权项

1. 一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构形成方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底，其包括一最上层的第一光阻层以及一介层开口延伸穿过一介电绝缘层的一厚度，以暴露一下方金属区域；进行一包含超临界二氧化碳、一金属腐蚀抗剂以及一金属抗氧化剂做为添加物的第一超临界流体处理，以移除该第一光阻层；形成一树脂层在该介电绝缘层上，并且填充该介层开口；图案化位于该树脂层上的一第二光阻层，以在该介层开口上蚀刻形成一沟槽开口；蚀刻该沟槽开口；以及进行一包含超临界二氧化碳、该金属腐蚀抗剂以及该金属抗氧化剂做为添加物的第二超临界流体处理，以移除该第二光阻层以及该树脂层，以形成一双镶嵌开口。