发明名称 评估装置以及使用该评估装置之评估方法
摘要 〔课题〕使用照射雷射光于非晶质矽膜而结晶化的多结晶矽膜的薄膜电晶体的显示装置之中,在显示品质的点方面,有必要减低基板面内的多结晶矽膜的粒径的偏差。但是,以光学上管理多结晶矽膜的表面的凹凸的方法,只能掌握微米等级的偏差。〔解决手段〕本发明的评估装置,包括在绝缘性基板1的复数个评估单元101、施加电压于评估单元101的讯号导线105、经由讯号取出导线106用来测定来自评估单元101的输出的讯号取出导线用输出端子垫104,所以可容易地测定电子特性的面内分布。再者,藉由评估与多结晶矽膜的结晶粒径有关联的电子特性,可管理多结晶矽膜的结晶粒径的面内偏差。
申请公布号 TW200836282 申请公布日期 2008.09.01
申请号 TW096144744 申请日期 2007.11.26
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 竹口彻;本并薰
分类号 H01L21/66(2006.01);H01L29/786(2006.01);G02F1/1368(2006.01) 主分类号 H01L21/66(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本