发明名称 薄膜形成方法及薄膜形成装置
摘要 于以一定间隔排列设置多数片之标靶,藉由溅镀形成特定薄膜时,抑制在形成于处理基板表面之薄膜产生波状起伏之膜厚分布或膜质分布。对在溅镀室11a内对向于处理基板S并且隔着特定间隔而排列设置之多数片的标靶输入电力,藉由溅镀形成特定薄膜之期间,使各标靶以一定速度相对于处理基板平行往复动作,并且将在各标靶前方各形成隧道状之磁通M的磁石组装体以一定速度各平行各标靶往复动作。当各标靶到达至往复动作之折返位置时,使各标靶之往复动作停止特定时间。
申请公布号 TW200835798 申请公布日期 2008.09.01
申请号 TW096139682 申请日期 2007.10.23
申请人 爱发科股份有限公司 发明人 大石佑一;小松孝;清田淳也;新井真
分类号 C23C14/34(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本