| 摘要 |
本发明揭示一种用于制造具有单一层多晶矽闸极之电荷耦合装置(CCD)成像结构并利用知微影蚀刻技术与设备之方法。其包含以下步骤：提供一矽基板；实质上覆盖该矽基板而生长一介电层；实质上覆盖该介电层而沈积一第一多晶矽层；自该第一多晶矽层建立复数个多晶矽闸极与闸极间间隙，该复数个多晶矽闸极中每一多晶矽闸极具有一预定线宽，该复数个多晶矽闸极中每一对具有一预定闸极间间隙；实质上覆盖经定义之该复数个闸极与该等闸极间间隙而沈积具有一预定厚度的一第二多晶矽层，该第二多晶矽层之该预定厚度大约为该预定闸极间间隙厚度的一半减掉一期望间隙间厚度；移除该第二多晶矽层之至少一部分以定义具有该期望间隙间厚度的该复数个多晶矽闸极。 |
