| 发明名称 | 薄膜形成方法及薄膜之叠层构造 | ||
| 摘要 | 本发明之薄膜形成方法是具备：在被处理体表面上藉由溅镀形成用以防止充电受损之充电受损防止膜的防止膜形成工程；和在形成于被处理体之表面上的充电受损防止膜之表面上，藉由溅镀形成所欲之薄膜的薄膜形成工程。 | ||
| 申请公布号 | TW200836250 | 申请公布日期 | 2008.09.01 |
| 申请号 | TW096138023 | 申请日期 | 2007.10.11 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 上田博一;野泽俊久 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/285(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 日本 | ||