记忆体元件及其制造方法

摘要

一种记忆体元件，包括基底、第一导体层、第一电荷储存层及第二导体层。第一导体层配置于基底上。第一电荷储存层配置于第一导体层上。第二导体层，配置于第一电荷储存层上。其中，第一电荷储存层包括诱发层、多个钌或二氧化钌奈米晶粒及半导体层。钌或二氧化钌奈米晶粒配置于诱发层上。半导体层覆盖于钌或是二氧化钌奈米晶粒及诱发层上。