半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一闸极，设置于该基板上；一绝缘层，设置于该基板上并覆盖该闸极；一图案化半导体层，设置于该绝缘层上；一源极与一汲极，设置于该图案化半导体层上；一保护层，覆盖该绝缘层、该源极与覆盖于该汲极之部分边界，露出部分该汲极；以及一画素电极，设置于该基板上并覆盖该汲极边界之该保护层，且与露出之该汲极电性连接。本发明另提供一种半导体结构之制造方法。