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发明名称
记忆元件之读取方法
摘要
一种含有MLC之记忆元件的读取方法包含下列步骤:根据第一读取指令,执行资料读取操作;决定读取资料是否可能需要错误校正,若决定的结果,很难作错误校正,则根据第二读取指令,执行资料读取操作;根据第二读取指令决定读取资料是否可能需要错误校正,而若决定的结果,很难作错误校正,则根据N#sP!th#eP!(N≧3,N为整数)读取指令,执行资料读取操作。
申请公布号
TW200836197
申请公布日期
2008.09.01
申请号
TW096124075
申请日期
2007.07.03
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
王锺铉;郑畯燮;朱锡镇
分类号
G11C11/56(2006.01)
主分类号
G11C11/56(2006.01)
代理机构
代理人
何金涂;李国光
主权项
地址
韩国
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