发明名称 记忆元件之读取方法
摘要 一种含有MLC之记忆元件的读取方法包含下列步骤:根据第一读取指令,执行资料读取操作;决定读取资料是否可能需要错误校正,若决定的结果,很难作错误校正,则根据第二读取指令,执行资料读取操作;根据第二读取指令决定读取资料是否可能需要错误校正,而若决定的结果,很难作错误校正,则根据N#sP!th#eP!(N≧3,N为整数)读取指令,执行资料读取操作。
申请公布号 TW200836197 申请公布日期 2008.09.01
申请号 TW096124075 申请日期 2007.07.03
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 王锺铉;郑畯燮;朱锡镇
分类号 G11C11/56(2006.01) 主分类号 G11C11/56(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;李国光
主权项
地址 韩国