制作应变矽金氧半导体电晶体的方法

摘要

本发明系揭露一种制作应变矽金氧半导体电晶体的方法。首先提供一半导体基底，然后形成一闸极结构于该半导体基底上、一侧壁子于该闸极结构周围以及一源极/汲极区域于该侧壁子周围之该半导体基底中。接着进行一第一快速升温退火(rapid thermal anneal,RTA)制程，以活化该源极/汲极区域中之掺质。然后进行一蚀刻制程，以于该闸极结构上及周围分别形成一凹槽，并进行一选择性磊晶成长(selective epitaxial growth,SEG)制程，以于该等凹槽中形成一磊晶层。紧接着进行一第二快速升温退火制程，以重新定义该源极/汲极区域中掺质的分布并修复掺质中受损的键结。