交错型薄膜电晶体及其制造方法

摘要

本发明提供交错型薄膜电晶体，包含基材、形成在基材上并具有汲/源极与电子通道的主动区、形成在通道上的绝缘层，及形成在绝缘层上的闸极，特别的是，汲/源极分别由掺杂镁的导电材料并经过200℃~550℃的制程热作用形成，且包括一个中心区块，及一层由该掺杂的镁经过热作用向外扩散而与该导电材料共同形成包覆该中心区块并与该通道相欧姆接触的接触层，藉着掺杂的镁向外扩散而形成的接触层而可使得汲/源极与通道形成良好的欧姆接触，进而减少制程步骤、降低元件生产成本。本发明还提供此种交错型薄膜电晶体的制造方法。