| 摘要 |
本发明提供一种操作非挥发储存系统之方法，其可减少程式干扰。在程式化非挥发储存器时实施多个升压模式。举例而言，可使用自升压、区域自升压、擦除区域自升压及修正擦除区域自升压。使用一或多个切换标准来判定切换至一不同升压模式之时刻。升压模式可用于在正程式化选定之「反及」(NAND)串中之储存元件时防止未选定之「反及」串中之程式干扰。藉由切换升压模式，在条件改变时，可使用一最佳升压模式。可基于各种标准来切换该升压模式，诸如，程式化脉冲数目、程式化脉冲振幅、程式化遍次号、一选定之字线之位置、是使用粗略程式化还是精细程式化、储存元件是否达到一程式化条件及/或该非挥发储存装置之程式化循环之一数目。 |
