半导体装置之制造方法

摘要

本发明揭示一种用于制造一半导体装置之方法，其包括：使用一多孔绝缘材料在一基板上形成一多孔介电膜；在该多孔介电膜中形成一开孔；藉由将一取代一Si-OH基之预定气体供给至该开孔来修补开孔之一表面上该多孔介电膜之膜品质；及在修补该膜品质之后，使用与膜品质修补所用气体相同之预定气体实施该小孔表面之小孔密封。