低启始电压之ｎ型金氧半场效电晶体

摘要

本发明提供一种低启始电压之n型金氧半场效电晶体，包含：一具有相间隔设置之一源极区及一汲极区的p型半导体基板、一覆盖该p型半导体基板并含有HfSiON或HfLaON之化合物的闸极介电膜，及一含有Hf#sB!1#eB!#sB!-#eB!#sB!x#eB!Si#sB!x#eB!之金属矽化物并叠置于该闸极介电膜且实质上不与该源极区及汲极区重叠设置的闸极膜，其中，0.1≦x≦0.5。