发明名称 成膜方法及成膜装置
摘要 本发明系一种成膜方法,其特征系具备:基板载置工程,其系于气密的处理容器中载置基板;第1成膜工程,其系于上述处理容器内供给水蒸气,且于上述处理容器内供给由铜的有机化合物所构成的原料气体,而于上述基板上形成铜的密着层;排出工程,其系排出上述处理容器内的水蒸气及原料气体;及第2成膜工程,其系于上述处理容器内只再度供给上述原料气体,而于上述密着层之上更形成铜膜。
申请公布号 TW200818272 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096126403 申请日期 2007.07.19
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 小岛康彦;池田太郎;波多野达夫
分类号 H01L21/205(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本