| 摘要 |
一种半导体装置包括:第一应力薄膜,所述第一应力薄膜覆盖第一电晶体区域之第一闸极以及第一源极/汲极区域以及界面区域之第三闸极之至少一部分;第二应力薄膜,所述第二应力薄膜覆盖第二电晶体区域之第二闸极以及第二源极/汲极区域,且与第一应力薄膜之在所述界面区域之所述第三闸极上的至少一部分重叠;以及层间绝缘薄膜,所述层间绝缘薄膜是形成于所述第一应力薄膜以及所述第二应力薄膜上。所述半导体装置更包括:多个第一接触孔,所述多个第一接触孔是穿过位于所述第一电晶体区域之所述层间绝缘薄膜以及所述第一应力薄膜而形成,以暴露所述第一闸极以及所述第一源极/汲极区域;多个第二接触孔,所述多个第二接触孔是穿过位于所述第二电晶体区域之所述层间绝缘薄膜以及所述第二应力薄膜而形成于以暴露所述第二闸极以及所述第二源极/汲极区域;以及第三接触孔,所述第三接触孔是穿过所述层间绝缘薄膜、所述第二应力薄膜以及所述第一应力薄膜而形成于所述界面区域中以暴露所述第三闸极。形成有所述第三接触孔的所述第三闸极之上部面之凹陷部分之深度等于或大于形成有所述第一接触孔的所述第一闸极之上部面之凹陷部分之深度。 |
