发明名称 印刷式自对准上闸极薄膜电晶体
摘要 本发明系揭露一种自对准上闸极薄膜电晶体以及形成该电晶体的方法。首先形成半导体薄膜层;接着,将掺杂的玻璃图案列印于半导体薄膜层上,掺杂的玻璃图案中之间隙定义薄膜电晶体之沟道区域;接着,将闸电极形成于沟道区域上或上方,闸电极包含闸极介电薄膜以及位于闸极介电薄膜上之闸极导体;以及将掺杂物从掺杂的玻璃图案扩散至半导体膜层内。
申请公布号 TW200818509 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096121120 申请日期 2007.06.12
申请人 高菲欧股份有限公司 发明人 乔格 洛肯贝尔格;姆斯 蒙太古 科伦拜恩;阿尔温德 卡马斯
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 陶霖
主权项
地址 美国