| 摘要 |
<p>Изобретението се отнася до метал-изолатор-силицийструктури, съдържащи силициеви наночастици, и до метод за производството им и по-специално до структури от типа Al/c-Si/Si-SiOx/SiO2/Al (х по-малко или равно на 2), съдържащи аморфни или кристални наночастици. Структурите намират приложение в микроелектрониката, като алтернатива на известните микроелектронни памети с плаващ гейт на базата на поликристален силиций. Предимства на Al/c-Si/(Si-SiOx)/SiO2/Al структурите (х по-малко или равно на 2), получени по предлагания метод, са използването самона вакуумни техники при изготвянето им, които са широко разпространени, не изискват употреба на токсични или взривоопасни газове (каквито се използват при химичното парово отлагане на нанокристален Si) и са напълно съвместими със съвременната микроелектроника. Намалява се броят на слоевете, отлагани за формиране на диелектрика и съответно разнообразието от техники, използвани за неговото изготвяне, а също и енергоемкостта на производствения процес. Наличието на утечка на заряда от една или няколко наночастици от единия или другия вид не води до съществена загуба на съхранения заряд. Методът за изготвяне на метал-изолатор-силиций структури оттипа Аl/с-Si/нa-Si-SiOx/SiO2/Al и Al/c-Si/нк-Si-SiО2/SiO2/Al включва последователно отлагане на слоеве от силициев субоксид и силициев диоксид върху n-Si кристална подложка (100) (с-Si) със съпротивление 4-6 Ом.сm, като структурата се подлага на термична обработка при 700 или 1000</p> |
