一种部分耗尽SOI结构的MOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供了一种可应用于纳米尺度集成电路制造技术的部分耗尽SOI结构的MOS晶体管及其制作方法。该晶体管源漏扩展区上部是薄半导体层，下部是空腔体，兼具超薄体全耗尽SOI MOS晶体管与部分耗尽SOI MOS晶体管的优点，同时克服了它们的不足。本发明的制备方法和传统的MOS晶体管制作工艺兼容，利用成熟的选择腐蚀工艺技术实现源漏扩展区上部薄半导体层、下部空腔体的器件结构，工艺方法简单巧妙，有极强的实用价值。

主权项

1.一种部分耗尽SOI结构的MOS晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一栅电极侧墙介质层，一半导体体区，一埋氧层，一半导体衬底，一源区和一漏区，一源扩展区及一漏扩展区；所述埋氧层位于半导体衬底之上；所述源区和漏区位于埋氧层之上、栅电极侧墙介质层两侧；所述半导体体区位于栅介质层之下，埋氧层之上，两侧分别与源漏扩展区相连；所述栅电极侧墙介质层位于栅电极和栅介质层两侧；所述源漏扩展区由一薄半导体层及位于其下的空腔体或绝缘体组成。