形成包括具有受应力之通道区之场效电晶体之半导体结构之方法

摘要

一种形成半导体结构之方法，包括提供半导体基底，该半导体基底包括第一电晶体元件及第二电晶体元件。该第一电晶体元件包括至少一个第一非结晶区(amorphous region)，而该第二电晶体元件包括至少一个第二非结晶区。应力产生层系形成于该第一电晶体元件之上，该应力产生层并未覆盖该第二电晶体元件。实施第一退火程序，该第一退火程序系用来再结晶化(re-crystallize)该第一非结晶区及该第二非结晶区。在该第一退火程序后，实施第二退火程序。该应力产生层于该第二退火程序期间保持在该半导体基底上。