| 发明名称 | 磁性薄膜和磁阻效应元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供磁性薄膜和磁阻效应元件。在所述磁性薄膜中，可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在反铁磁层和铁磁层之间形成有锰层。 | ||
| 申请公布号 | CN101252037A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200710159762.6 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 富士通株式会社;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 |
| 分类号 | H01F10/12(2006.01);H01L43/08(2006.01);G11B5/39(2006.01) | 主分类号 | H01F10/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种磁性薄膜，该磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层，其中，所述反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在所述反铁磁层和所述铁磁层之间形成有锰层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||