| 发明名称 | 制造横向掺杂沟道的方法和半导体单元的阵列 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种横向掺杂沟道，特别是在半导体内存单元的MOSFET中。将第一掺杂材料(210)大致垂直地植入于邻近一栅极结构的区域(220)内。扩散制造过程将第一掺杂材料扩散到该栅极结构下面的沟道区域内。将第二掺杂材料(240)大致垂直地植入于邻近栅极结构的区域(220)内。第二植入形成源极/漏极区域(250)并且可能终止该沟道区域。该沟道区域于是包含横向非均匀掺杂轮廓，该轮廓有利地减轻该短沟道效应并且高度地补偿在沟道长度中的制造过程变化。内存单元可为浮动栅极或氮化物(SONOS)非易失性内存。 | ||
| 申请公布号 | CN100414708C | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN03825407.7 | 申请日期 | 2003.07.10 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | N－C·翁;T·图盖特;S·S·哈达德 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L29/10(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1. 一种制造横向掺杂沟道的方法，包含：将第一掺杂材料垂直地注入(310)于邻近一栅极结构的区域内；将该第一掺杂材料扩散(320)到在该栅极结构下面的一沟道区域内；以及将第二掺杂材料垂直地注入(330)于邻近一栅极结构的该区域内，以形成一源极区域以及一漏极区域，其中该源极区域以及该漏极区域的电荷特性会受到该第二掺杂材料所控制。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||