发明名称 |
光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统 |
摘要 |
一种光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统。该光电转换装置包括:第一层间绝缘膜,置于半导体基板上;第一插头,置于第一层间绝缘膜中的第一孔中,用于电连接在置于半导体基板中的多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间,但不是通过配线层的配线来连接的;和第二插头,置于第一层间绝缘膜中的第二孔中,第二插头电连接至有源区,其中,被布置在第二插头上方的最靠近第二插头的配线电连接至第二插头,电连接至第二插头的配线形成双镶嵌结构的一部分。通过这样的结构,可改进光到光电转换元件上的入射效率。 |
申请公布号 |
CN101252138A |
申请公布日期 |
2008.08.27 |
申请号 |
CN200810080875.1 |
申请日期 |
2008.02.22 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
成濑裕章;冈川崇;三岛隆一;佐藤信彦;让原浩 |
分类号 |
H01L27/14(2006.01);H01L27/146(2006.01);H01L23/522(2006.01);H04N5/225(2006.01);H04N5/335(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/14(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杨国权 |
主权项 |
1、一种光电转换装置,包括:半导体基板;光电转换元件和MOS晶体管,其布置在半导体基板中;多层配线结构,包括具有多个配线的多个配线层的叠层和使配线层彼此隔离的层间绝缘膜,其中,所述光电转换装置包括:第一层间绝缘膜,其布置在半导体基板上;第一插头,其布置在第一层间绝缘膜中的第一孔中,并电连接在置于半导体基板中的有源区之间、MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间,但不是通过配线层的配线来连接的;和第二插头,其布置在第一层间绝缘膜中的第二孔中,并电连接至有源区,其中,被布置在第二插头上的最靠近第二插头的配线通过第三插头电连接至第二插头,以及第三插头和被布置为最靠近第二插头的配线形成双镶嵌结构。 |
地址 |
日本东京 |