| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat comportant une couche d'oxyde enterrée (1) pour la réalisation de composants électroniques ou analogues, comportant au moins une étape de dépôt d'une couche d'oxyde (1) ou de nitrure sur un substrat dit donneur (2), et/ou receveur une étape de mise en contact des substrats donneur et receveur (9) ; ledit procédé est remarquable en ce qu'il comporte au moins un premier traitement thermique de la couche d'oxyde (1) ou de nitrure déposée sur le substrat donneur (2) et /ou receveur et un second traitement thermique, à une température supérieure ou égale à celle du premier traitement thermique, du substrat constitué du substrat receveur (9), de la couche d'oxyde (1) et de tout ou partie du substrat donneur (2).Un autre objet de l'invention concerne un substrat comportant au moins une couche d'oxyde ou de nitrure (1) déposée sur un substrat donneur (2) et/ou receveur (9) remarquable en ce que la couche d'oxyde ou de nitrure (1) est dégazée et présente un indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction d'une couche d'oxyde ou de nitrure de même composition formée par croissance thermique.
|
