碳化硅半导体器件及其制造方法

摘要

一种碳化硅半导体器件(90)，包括：1)碳化硅衬底(1)；2)由多晶硅构成的栅电极(7)；以及3)ONO绝缘膜(9)，该ONO绝缘膜(9)被夹在碳化硅衬底(1)与栅电极(7)之间，从而形成栅极结构，并且该ONO绝缘膜(9)包括从碳化硅衬底(1)开始依次形成的如下部分：a)第一二氧化硅膜(O)(10)，b)SiN膜(N)(11)，以及c)SiN热氧化膜(O)(12、12a、12b)。其中氮包括在如下位置中的至少一个中：i)在第一二氧化硅膜(O)(10)中和在碳化硅衬底(1)附近，以及ii)在碳化硅衬底(1)与第一二氧化硅膜(O)(10)之间的界面中。

主权项

1.一种碳化硅半导体器件，包括：1)碳化硅衬底；2)由多晶硅构成的栅电极；以及3)ONO绝缘膜，所述ONO绝缘膜被夹在所述碳化硅衬底与所述栅电极之间，从而形成栅极结构，所述ONO绝缘膜包括从所述碳化硅衬底开始依次形成的如下部分：a)第一二氧化硅膜(O)，b)SiN膜(N)，以及c)SiN热氧化膜(O)，其中氮包括在如下位置中的至少一个中：i)在所述第一二氧化硅膜(O)中和在所述碳化硅衬底附近，以及ii)在所述碳化硅衬底与所述第一二氧化硅膜(O)之间的界面中。