| 发明名称 | 一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，本发明的优点在于应用纳米硅/单晶硅异质结构在应力状态下的反向I－V特性，制成了敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管，并应用该纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管而制作一种敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压力传感器。 | ||
| 申请公布号 | CN101252151A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200810020042.6 | 申请日期 | 2008.03.21 |
| 申请人 | 韦文生 | 发明人 | 韦文生 |
| 分类号 | H01L29/96(2006.01);H01L29/84(2006.01);H01L29/861(2006.01);G01L1/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/96(2006.01) |
| 代理机构 | 温州瓯越专利代理有限公司 | 代理人 | 王阿宝 |
| 主权项 | 1.一种纳米硅异质结压敏二极管，包括单晶硅基片、沉积于单晶硅基片上的纳米硅薄膜、分别与单晶硅基片和纳米硅薄膜欧姆连接的一对电极，所述纳米硅薄膜与单晶硅基片构成纳米硅/单晶硅异质结构，其特征在于：所述单晶硅基片的平均电阻率约为0.001Ω·cm-0.0001Ω·cm，载流子浓度约为5.0×1019cm-3-1.0×1021cm-3，所述纳米硅薄膜厚度约为3.0μm-8.0μm。 | ||
| 地址 | 325000浙江省温州市鹿城区蒲鞋市街道学院中路276号 | ||