| 发明名称 | 以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法 | ||
| 摘要 | 以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法，涉及一种药物芯片的制备方法。提供一种将聚吡咯药物释放技术与MEMS技术相结合，具备控制释放功能的以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法。以单晶硅片为基底，通过微机电技术在硅片的表面构建由30～10000个金微电极组成的微电极阵列，微电极阵列中每个金微电极的通、断电状态为单独控制；将构建后的微电极阵列浸入由吡咯单体和磺化铝酞菁组成的电解质溶液中，然后采用恒电位法或循环伏安法在每个金微电极上生长掺杂磺化铝酞菁的聚吡咯膜，得到以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN101249064A | 申请公布日期 | 2008.08.27 |
| 申请号 | CN200810070841.4 | 申请日期 | 2008.03.28 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 葛东涛;田向东;石巍;张其清 |
| 分类号 | A61K9/00(2006.01);A61K47/00(2006.01);A61K47/34(2006.01);A61M31/00(2006.01) | 主分类号 | A61K9/00(2006.01) |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人 | 陈永秀;马应森 |
| 主权项 | 1. 以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)以单晶硅片为基底，通过微机电技术在硅片的表面构建由30～10000个金微电极组成的微电极阵列，微电极阵列中每个金微电极的通、断电状态为单独控制；2)将构建后的微电极阵列浸入由吡咯单体和磺化铝酞菁组成的电解质溶液中，然后采用恒电位法或循环伏安法在每个金微电极上生长掺杂磺化铝酞菁的聚吡咯膜，得到以聚吡咯为药物载体的磺化铝酞菁药物芯片。 | ||
| 地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 | ||