检测氢气的气敏元件制备方法

摘要

本发明涉及一种检测氢气的气敏元件制备方法，将超声波和低温陈化技术运用到锌盐、锡盐的络合效应与化学共沉淀制备纳米ZnSnO₃。本发明是在纳米ZnSnO₃的基础上，掺杂贵金属盐PdCl₂、粘接剂(正硅酸乙脂)和去离子水，通过研磨、超声波震荡、涂料、烧结等工艺制成新型的PdO－ZnSnO₃旁热式半导体气敏元件。其中纳米ZnSnO₃基料采用改进的共沉淀法制得。本发明具有气敏材料灵敏度高、选择性强、工作温度低、制备工艺简单等优点。

主权项

1. 一种检测氢气的气敏元件制备方法，其特征在于有以下步骤：A.制备掺杂有PdCl2和正硅酸乙脂的ZnSnO3粉料；B.ZnSnO3粉料经过3～6小时研磨混合后，超声波分散；C.用去离子水将ZnSnO3粉料调成糊状后，涂敷在带有铂电极的陶瓷管上，涂层厚度为0.5～1.5mm；D.将上述陶瓷管在80～120℃温度下干燥1.5～2小时，600～800℃热处理烧结8小时后，连接在带有镍管角的底座上，即得用于检测氢气的气敏元件。