有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法

摘要

一种有源矩阵基板，该基板的构成包含薄膜晶体管(TFT)和连接到其薄膜晶体管一端的象素电极的象素部分，其特征在于：具备设备在上述扫描线及信号线中至少一条线或与其线电等效的部位和共用电位线之间的、使用了薄膜晶体管的防止静电破坏用装置；上述防止静电破坏用装置构成为包含在将栅极电极层、栅极绝缘膜、沟道层、源、漏极电极层、保护层重叠而成的薄膜晶体管中连接栅极电极层和源、漏电极层而构成的二极管；在同一制造工序中形成用于电连接上述栅极电极层和源、漏极电极层的、选择性地除去上述栅极电极层上的上述栅极绝缘膜和上述保护膜构成的第1开口，和选择性地除去上述源、漏极电极层上的上述保护膜构成的第2开口。

主权项

1. 一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于经过包含下述(A)～(G)的制造工序的基板制造工序来制造有源矩阵基板：(A)在基板上形成栅极电极层以及以与该栅极电极层同一材料构成的栅极电极材料层的工序；(B)在上述栅极电极层及栅极电极材料层上形成栅极绝缘膜的工序；(C)在上述栅极绝缘膜上，在具备与上述栅极电极层平面重迭的形态下形成沟道层和欧姆接触层的工序；(D)在形成连接在上述欧姆接触层的源、漏极电极层的同时，在上述绝缘膜上的规定区域上形成以与上述源、漏极电极相同材料构成的源、漏极电极材料层的工序；(E)形成保护膜使之复盖上述源、漏极电极层以及上述源、漏电极材料层的工序；(F)选择性地蚀刻存在于上述栅极电极层或栅极电极材料层上的上述栅极绝缘膜及上述保护膜的重迭膜，形成使上述栅极电极层或上述栅极电极材料层的部分表面露出的第1开口，同时，选择性地蚀刻上述源、漏极电极层或上述源、漏极电极材料层上的上述保护膜，形成使上述源、漏极电极层或上述源、漏极电极材料层的部分表面露出的第2开口的工序；(G)把导电性材料层连接到露出于上述第1开口的上述栅极电极层或上述栅极电极材料层、露出于第2开口的上述源、漏极电极层或上述源、漏极电极材料层的工序。